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Co掺杂对ZnO晶体中光生电子瞬态过程的影响

韦志仁 , 强勇 , 彭翔宇 , 高平 , 董国义

人工晶体学报

采用气相反应制备了ZnO和ZnO∶Co微晶,并通过热释光研究了材料中的电子陷阱能级(施主能级),采用微波介电谱研究了材料的光生电子瞬态过程.发现纯ZnO热释光谱有两个峰,分别为-183 ℃和-127 ℃,说明存在两个电子陷阱能级;而ZnO∶Co中热释光信号很弱,只有纯ZnO的十分之一.微波介电谱研究表明,由于电子陷阱对导带电子的驰豫作用,纯ZnO材料导带光电子的衰减为一级指数过程,寿命为802 ns.ZnO∶Co微晶体的最大微波介电谱强度低于纯ZnO晶体的五分之一,电子陷阱密度较小,其光生电子快速衰减,过程仅为10~20 ns.结果说明Co掺杂具有明显的抑制电子陷阱能级生成的作用.

关键词: ZnO , 电子陷阱 , 掺杂 , 光生电子

硫增感对立方体AgCl微晶光电子衰减影响的动力学研究

李晓苇 , 张荣香 , 杨少鹏 ,

人工晶体学报

本工作利用微波吸收介电谱技术检测了硫增感立方体氯化银微晶光电子的衰减时间谱,并根据实验结果建立了硫增感氯化银微晶的动力学模型,通过计算机求解由此模型得到的光电子衰减动力学方程,得到了不同增感时间下电子陷阱的浓度和深度,发现随增感时间的增加,电子陷阱的深度保持不变(0.201eV),而陷阱的浓度发生了变化,即在增感时间为75 min时电子陷阱的浓度为7.5×10-6;在增感时间为60 min时电子陷阱的浓度为3×10-6,这些结论对于其它晶体特性的研究具有参考价值.

关键词: 衰减动力学 , 氯化银微晶 , 光电子 , 电子陷阱

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